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Transistor IGBTs del modulo di potere di IXSA15N120B IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IXSA15N120B IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IXSA15N120B IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IXSA15N120B IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IXSA15N120B IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IXSA15N120B IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IXSA15N120B Produttore: IXYS
Descrizione: IGBT 1200V 30A 150W TO263AA Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di IXSA15N120B

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT Pinta
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 30A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 60A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 3.4V @ 15V, 15A
Massimo elettrico 150W
Energia di commutazione 1.75mJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 57nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 30ns/148ns
Condizione di prova 960V, 15A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-263 AA (IXSA)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IXSA15N120B

Rilevazione

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