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Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGR35N120C IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGR35N120C IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGR35N120C IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGR35N120C IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGR35N120C IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGR35N120C IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IXGR35N120C Produttore: IXYS
Descrizione: IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: HiPerFAST™

Specifiche di IXGR35N120C

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 70A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 140A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 4V @ 15V, 35A
Massimo elettrico 200W
Energia di commutazione 3mJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 170nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 50ns/150ns
Condizione di prova 960V, 35A, 4,7 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso ISOPLUS247™
Pacchetto del dispositivo del fornitore ISOPLUS247™
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IXGR35N120C

Rilevazione

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