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Transistor IGBTs del modulo di potere di FGH30N120FTDTU IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di FGH30N120FTDTU IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di FGH30N120FTDTU IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di FGH30N120FTDTU IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di FGH30N120FTDTU IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di FGH30N120FTDTU IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: FGH30N120FTDTU Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: IGBT 1200V 60A 339W TO247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di FGH30N120FTDTU

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 60A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 90A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2V @ 15V, 30A
Massimo elettrico 339W
Energia di commutazione -
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 208nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C -
Condizione di prova -
Tempo di recupero inverso (trr) 730ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FGH30N120FTDTU

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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