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Transistor IGBTs del modulo di potere di FGA50N100BNTTU IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di FGA50N100BNTTU IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di FGA50N100BNTTU IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di FGA50N100BNTTU IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di FGA50N100BNTTU IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di FGA50N100BNTTU IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: FGA50N100BNTTU Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: IGBT 1000V 50A 156W TO3P Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di FGA50N100BNTTU

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT NPT e fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1000V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 50A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 200A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.9V @ 15V, 60A
Massimo elettrico 156W
Energia di commutazione -
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 257nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 34ns/243ns
Condizione di prova 600V, 60A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-3PN
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FGA50N100BNTTU

Rilevazione

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