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Transistor IGBTs del modulo di potere di FGP10N60UNDF IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di FGP10N60UNDF IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di FGP10N60UNDF IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di FGP10N60UNDF IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di FGP10N60UNDF IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di FGP10N60UNDF IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: FGP10N60UNDF Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: IGBT 600V 20A 139W TO220-3 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di FGP10N60UNDF

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 20A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 30A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.45V @ 15V, 10A
Massimo elettrico 139W
Energia di commutazione 150µJ (sopra), 50µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 37nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 8ns/52.2ns
Condizione di prova 400V, 10A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 37.7ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-220-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-220-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FGP10N60UNDF

Rilevazione

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