Transistor IGBTs del modulo di potere di APT100GN120B2G IGBT singolo
Specificità
Numero del pezzo:
APT100GN120B2G
Produttore:
Microsemi Corporation
Descrizione:
IGBT 1200V 245A 960W TMAX
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione
Specifiche di APT100GN120B2G
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo di IGBT | Fermata di campo della fossa |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 1200V |
Corrente - collettore (CI) (massimo) | 245A |
Corrente - collettore pulsato (Icm) | 300A |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 2.1V @ 15V, 100A |
Massimo elettrico | 960W |
Energia di commutazione | 11mJ (sopra), 9.5mJ (fuori) |
Tipo introdotto | Norma |
Tassa del portone | 540nC |
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 50ns/615ns |
Condizione di prova | 800V, 100A, 1 ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto/caso | Variante TO-247-3 |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | - |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di APT100GN120B2G
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable