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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT100GN120B2G IGBT singolo

Categoria:
Modulo di alimentazione IGBT
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
APT100GN120B2G
Produttore:
Microsemi Corporation
Descrizione:
IGBT 1200V 245A 960W TMAX
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione

Specifiche di APT100GN120B2G

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 245A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 300A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.1V @ 15V, 100A
Massimo elettrico 960W
Energia di commutazione 11mJ (sopra), 9.5mJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 540nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 50ns/615ns
Condizione di prova 800V, 100A, 1 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso Variante TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di APT100GN120B2G

Rilevazione

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