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Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGT6N170A IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGT6N170A IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGT6N170A IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGT6N170A IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGT6N170A IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGT6N170A IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IXGT6N170A Produttore: IXYS
Descrizione: IGBT 1700V 6A 75W TO268 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di IXGT6N170A

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1700V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 6A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 14A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 7V @ 15V, 3A
Massimo elettrico 75W
Energia di commutazione 590µJ (sopra), 180µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 18.5nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 46ns/220ns
Condizione di prova 850V, 6A, 33 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-268-3, ³ Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-268AA
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-268
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IXGT6N170A

Rilevazione

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