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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT15GT120BRG IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT15GT120BRG IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT15GT120BRG IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di APT15GT120BRG IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di APT15GT120BRG IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT15GT120BRG IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: APT15GT120BRG Produttore: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 36A 250W TO247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: Colpo di fulmine IGBT®

Specifiche di APT15GT120BRG

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 36A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 45A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 3.6V @ 15V, 15A
Massimo elettrico 250W
Energia di commutazione 585µJ (sopra), 260µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 105nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 10ns/85ns
Condizione di prova 800V, 15A, 5 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247 [B]
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di APT15GT120BRG

Rilevazione

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