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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB20NC60V IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB20NC60V IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB20NC60V IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB20NC60V IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB20NC60V IGBT singolo

Dettagli:
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB20NC60V IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: STGB20NC60V Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: IGBT 600V 60A 200W D2PAK Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: PowerMESH™

Specifiche di STGB20NC60V

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 60A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 100A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.5V @ 15V, 20A
Massimo elettrico 200W
Energia di commutazione 220µJ (sopra), 330µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 100nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 31ns/100ns
Condizione di prova 390V, 20A, 3,3 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Pacchetto del dispositivo del fornitore D2PAK
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di STGB20NC60V

Rilevazione

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