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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT25GR120SD15 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT25GR120SD15 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT25GR120SD15 IGBT singolo
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Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di APT25GR120SD15 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT25GR120SD15 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: APT25GR120SD15 Produttore: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche APT25GR120SD15

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 75A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 100A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 3.2V @ 15V, 25A
Massimo elettrico 521W
Energia di commutazione 742µJ (sopra), 427µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 203nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 16ns/122ns
Condizione di prova 600V, 25A, 4,3 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-268-3, ³ Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-268AA
Pacchetto del dispositivo del fornitore D3Pak
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare APT25GR120SD15

Rilevazione

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