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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di DMP32D4SFB-7B singoli

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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di DMP32D4SFB-7B singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di DMP32D4SFB-7B singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di DMP32D4SFB-7B singoli

Grande immagine :  MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di DMP32D4SFB-7B singoli

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di DMP32D4SFB-7B singoli

descrizione
Numero del pezzo: DMP32D4SFB-7B Produttore: Diodi incorporati
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli

Specifiche di DMP32D4SFB-7B

Stato della parte Attivo
Tipo del FET P-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 400mA (tum)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 1.3nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 51pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 500mW (tum)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 2,4 ohm @ 200mA, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Pacchetto/caso 3-UFDFN
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di DMP32D4SFB-7B

Rilevazione

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