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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo RSU002P03T106 singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
RSU002P03T106
Produttore:
Rohm semiconduttore
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 0.25A SOT-323
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Introduzione

Specifiche RSU002P03T106

Stato della parte Non per le nuove progettazioni
Tipo del FET P-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 250mA (tum)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.5V @ 1mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs -
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 30pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 200mW (tum)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 1,4 ohm @ 250mA, 10V
Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore UMT3
Pacchetto/caso SC-70, SOT-323
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare RSU002P03T106

Rilevazione

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo RSU002P03T106 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo RSU002P03T106 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo RSU002P03T106 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo RSU002P03T106 singoli

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