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PSMN016-100PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

Name: PSMN016-100PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli
Brand: PSMN016-100PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli
SKU: PSMN016-100PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (178 reviews)

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PSMN016-100PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

PSMN016-100PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

descrizione

Numero del pezzo:	PSMN016-100PS, 127	Produttore:	Nexperia USA Inc.
Descrizione:	MOSFET N-CH 100V TO220AB	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - singoli

PSMN016-100PS, 127 specifiche

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	N-Manica
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	100V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	57A (Tj)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	4V @ 1mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	49nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	2404pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica del FET	-
Dissipazione di potere (massima)	148W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	16 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo	Attraverso il foro
Pacchetto del dispositivo del fornitore	TO-220AB
Pacchetto/caso	TO-220-3
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

PSMN016-100PS, 127 che imballano

Rilevazione

PSMN016-100PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli 0

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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