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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STB76NF80 singoli

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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STB76NF80 singoli

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Grande immagine :  MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STB76NF80 singoli

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STB76NF80 singoli

descrizione
Numero del pezzo: STB76NF80 Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli Serie: STripFET™ II

Specifiche STB76NF80

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 80V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 80A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 160nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 3700pF @ 25V
Vgs (massimo) -
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 300W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 11 mOhm @ 40A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore D2PAK
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare STB76NF80

Rilevazione

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