MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STU12N65M5 singoli
Specificità
Numero del pezzo:
STU12N65M5
Produttore:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
MDmesh™ V
Introduzione
Specifiche STU12N65M5
Stato della parte | Obsoleto |
---|---|
Tipo del FET | N-Manica |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 8.5A (TC) |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 5V @ 250µA |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 900pF @ 100V |
Vgs (massimo) | - |
Caratteristica del FET | - |
Dissipazione di potere (massima) | 70W (TC) |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 430 mOhm @ 4.3A, 10V |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | Io-Pak |
Pacchetto/caso | TO-251-3 brevi cavi, IPak, TO-251AA |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
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Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable