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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STU12N65M5 singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
STU12N65M5
Produttore:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
MDmesh™ V
Introduzione

Specifiche STU12N65M5

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 650V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 8.5A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 22nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 900pF @ 100V
Vgs (massimo) -
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 70W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 430 mOhm @ 4.3A, 10V
Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto del dispositivo del fornitore Io-Pak
Pacchetto/caso TO-251-3 brevi cavi, IPak, TO-251AA
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

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Rilevazione

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