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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STU3LN62K3 singoli

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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STU3LN62K3 singoli

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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STU3LN62K3 singoli

Grande immagine :  MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STU3LN62K3 singoli

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STU3LN62K3 singoli

descrizione
Numero del pezzo: STU3LN62K3 Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli Serie: SuperMESH3™

Specifiche STU3LN62K3

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 620V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 2.5A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4.5V @ 50µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 17nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 386pF @ 50V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 45W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 3 ohm @ 1.25A, 10V
Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto del dispositivo del fornitore Io-Pak
Pacchetto/caso TO-251-3 brevi cavi, IPak, TO-251AA
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare STU3LN62K3

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
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