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PHB45NQ10T, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
PHB45NQ10T, 118
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
TrenchMOS™
Introduzione

PHB45NQ10T, 118 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 100V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 47A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 1mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 61nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 2600pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 150W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 25 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore D2PAK
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

PHB45NQ10T, 118 che imballano

Rilevazione

PHB45NQ10T, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoliPHB45NQ10T, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoliPHB45NQ10T, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoliPHB45NQ10T, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

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