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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRFR014PBF singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
IRFR014PBF
Produttore:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Introduzione

Specifiche di IRFR014PBF

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 7.7A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 11nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 300pF @ 25V
Vgs (massimo) -
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 2.5W (tum), 25W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 200 mOhm @ 4.6A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore D-Pak
Pacchetto/caso TO-252-3, DPak (2 cavi + linguette), SC-63
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IRFR014PBF

Rilevazione

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