MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STB32NM50N singoli
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
STB32NM50N
Produttore:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
MDmesh™ II
Introduzione
Specifiche di STB32NM50N
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo del FET | N-Manica |
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 500V |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 22A (TC) |
| Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 4V @ 250µA |
| Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 62.5nC @ 10V |
| Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 1973pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica del FET | - |
| Dissipazione di potere (massima) | 190W (TC) |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 130 mOhm @ 11A, 10V |
| Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-263 (² Pak di D) |
| Pacchetto/caso | TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
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Negotiable