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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SUM70090E-GE3 singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263
Numero del pezzo:
SUM70090E-GE3
Produttore:
Vishay Siliconix
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
ThunderFET®
Introduzione

Specifiche SUM70090E-GE3

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 100V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 50A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 50nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1950pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 125W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 8,9 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-263 (D2Pak)
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

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Rilevazione

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