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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STP11NM50N singoli

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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STP11NM50N singoli

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Grande immagine :  MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STP11NM50N singoli

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STP11NM50N singoli

descrizione
Numero del pezzo: STP11NM50N Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli Serie: MDmesh™ II

Specifiche di STP11NM50N

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 500V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 8.5A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 547pF @ 50V
Vgs (massimo) -
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 70W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 470 mOhm @ 4.5A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-220AB
Pacchetto/caso TO-220-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di STP11NM50N

Rilevazione

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