MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SPU07N60C3 singoli
Specificità
Numero del pezzo:
SPU07N60C3
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
CoolMOS™
Introduzione
Specifiche SPU07N60C3
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo del FET | N-Manica |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 7.3A (TC) |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 3.9V @ 350µA |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 790pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica del FET | - |
Dissipazione di potere (massima) | 83W (TC) |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto/caso | TO-251-3 brevi cavi, IPak, TO-251AA |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
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Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable