MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IPW50R250CP singoli
Specificità
Numero del pezzo:
IPW50R250CP
Produttore:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 13A TO-247
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
CoolMOS™
Introduzione
Specifiche di IPW50R250CP
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo del FET | N-Manica |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 13A (TC) |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 3.5V @ 520µA |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 1420pF @ 100V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica del FET | - |
Dissipazione di potere (massima) | 114W (TC) |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 250 mOhm @ 7.8A, 10V |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto/caso | TO-247-3 |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di IPW50R250CP
Rilevazione
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable