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STW13NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

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STW13NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

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Grande immagine :  STW13NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

STW13NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

descrizione
Numero del pezzo: STW13NM60N Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 11A TO-247 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli Serie: MDmesh™ II

STW13NM60N Specifications

Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) -
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 50V
Vgs (Max) -
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 5.5A, 10V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-3
Package / Case TO-247-3
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

STW13NM60N Packaging

Detection

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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