MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SUP60030E-GE3 singoli
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
SUP60030E-GE3
Produttore:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
TrenchFET®
Introduzione
Specifiche SUP60030E-GE3
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo del FET | N-Manica |
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 80V |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 120A (TC) |
| Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 4V @ 250µA |
| Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 141nC @ 10V |
| Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 7910pF @ 40V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica del FET | - |
| Dissipazione di potere (massima) | 375W (TC) |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 3,4 mOhm @ 30A, 10V |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto/caso | TO-220-3 |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballare SUP60030E-GE3
Rilevazione
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable