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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3746-1E singoli

Name: MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3746-1E singoli
Brand: MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3746-1E singoli
SKU: MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3746-1E singoli
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (101 reviews)

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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3746-1E singoli

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3746-1E singoli

descrizione

Numero del pezzo:	2SK3746-1E	Produttore:	Sul semiconduttore
Descrizione:	MOSFET N-CH 1500V 2A	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - singoli

Specifiche 2SK3746-1E

Stato della parte	Non per le nuove progettazioni
Tipo del FET	N-Manica
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	1500V (1.5kV)
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	2A (tum)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	-
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	37.5nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	380pF @ 30V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica del FET	-
Dissipazione di potere (massima)	2.5W (tum), 110W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	13 ohm @ 1A, 10V
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Attraverso il foro
Pacchetto del dispositivo del fornitore	TO-3P-3L
Pacchetto/caso	TO-3P-3, SC-65-3
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballare 2SK3746-1E

Rilevazione

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SK3746-1E singoli 0

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