MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di RSM002N06T2L singoli
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
RSM002N06T2L
Produttore:
Semiconduttore di Rohm
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 0.25A VMT3
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Introduzione
Specifiche di RSM002N06T2L
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo del FET | N-Manica |
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 60V |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 250mA (tum) |
| Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 2.3V @ 1mA |
| Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | - |
| Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 15pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica del FET | - |
| Dissipazione di potere (massima) | 150mW (tum) |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 2,4 ohm @ 250mA, 10V |
| Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | VMT3 |
| Pacchetto/caso | SOT-723 |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di RSM002N06T2L
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable