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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SN7002WH6327XTSA1 singoli

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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SN7002WH6327XTSA1 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SN7002WH6327XTSA1 singoli
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Grande immagine :  MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SN7002WH6327XTSA1 singoli

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SN7002WH6327XTSA1 singoli

descrizione
Numero del pezzo: SN7002WH6327XTSA1 Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli Serie: SIPMOS®

Specifiche SN7002WH6327XTSA1

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 230mA (tum)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.8V @ 26µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 45pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 500mW (tum)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 5 ohm @ 230mA, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore PG-SOT323-3
Pacchetto/caso SC-70, SOT-323
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare SN7002WH6327XTSA1

Rilevazione

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