MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMN2069FTA singoli
Specificità
Numero del pezzo:
ZXMN2069FTA
Produttore:
Diodi incorporati
Descrizione:
MOSFET N-CH SOT23-3
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Introduzione
Specifiche di ZXMN2069FTA
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo del FET | N-Manica |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | - |
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | - |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | - |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | - |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica del FET | - |
Dissipazione di potere (massima) | - |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | - |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto/caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di ZXMN2069FTA
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable