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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ARF461AG

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ARF461AG

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ARF461AG
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ARF461AG

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ARF461AG

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ARF461AG

descrizione
Numero del pezzo: ARF461AG Produttore: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 1000V TO-247 di RF PWR Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di ARF461AG

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor N-Manica
Frequenza 40.68MHz
Guadagno 15dB
Tensione - prova 250V
Valutazione corrente 6.5A
Figura di rumore -
Corrente - prova -
Uscita elettrica 150W
Tensione - stimata 1000V
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di ARF461AG

Rilevazione

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