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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di VRF151G

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di VRF151G

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di VRF151G

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di VRF151G

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di VRF151G

descrizione
Numero del pezzo: VRF151G Produttore: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET rf PWR N-CH 50V 300W M208 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di VRF151G

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor N-Manica
Frequenza 175MHz
Guadagno 16dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente 36A
Figura di rumore -
Corrente - prova 500mA
Uscita elettrica 300W
Tensione - stimata 170V
Pacchetto/caso 4-SMD
Pacchetto del dispositivo del fornitore M208
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di VRF151G

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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