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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > BLF174XRS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF174XRS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF174XRS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF174XRS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF174XRS, 112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 110V 28DB SOT1214B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLF174XRS, 112 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 108MHz
Guadagno 28.5dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 600W
Tensione - stimata 110V
Pacchetto/caso SOT-1214B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT1214B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF174XRS, 112 che imballano

Rilevazione

BLF174XRS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF174XRS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF174XRS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF174XRS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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