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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF184XRGJ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF184XRGJ
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF184XRGJ
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF184XRGJ
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF184XRGJ

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 108MHz
Guadagno 23.9dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 700W
Tensione - stimata 135V
Pacchetto/caso SOT-1214C
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT1214C
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF184XRGJ

Rilevazione

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