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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-270GVJ

Name: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-270GVJ
Brand: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-270GVJ
SKU: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-270GVJ
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (158 reviews)

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-270GVJ

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

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Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-270GVJ

descrizione

Numero del pezzo:	BLF8G10LS-270GVJ	Produttore:	Ampleon USA Inc.
Descrizione:	FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C di RF	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLF8G10LS-270GVJ

Stato della parte	Attivo
Tipo del transistor	LDMOS
Frequenza	871.5MHz ~ 891.5MHz
Guadagno	19.5dB
Tensione - prova	28V
Valutazione corrente	-
Figura di rumore	-
Corrente - prova	2A
Uscita elettrica	67W
Tensione - stimata	65V
Pacchetto/caso	SOT-1244C
Pacchetto del dispositivo del fornitore	CDFM6
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF8G10LS-270GVJ

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-270GVJ 0

Prodotto Tag:

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