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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-300PJ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-300PJ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-300PJ
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-300PJ
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF8G10LS-300PJ
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF8G10LS-300PJ

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 760.5MHz ~ 800.5MHz
Guadagno 20.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 2A
Uscita elettrica 65W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT539B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT539B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF8G10LS-300PJ

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-300PJChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-300PJChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-300PJChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G10LS-300PJ

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