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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LET9060F

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LET9060F

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LET9060F
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LET9060F
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
LET9060F
Produttore:
STMicroelectronics
Descrizione:
12 DI MATTINA del MOSFET N-CH 80V - 250
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di LET9060F

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 945MHz
Guadagno 18dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 12A
Figura di rumore -
Corrente - prova 400mA
Uscita elettrica 75W
Tensione - stimata 80V
Pacchetto/caso M250
Pacchetto del dispositivo del fornitore M250
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di LET9060F

Rilevazione

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