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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G22LS-270GVJ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G22LS-270GVJ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G22LS-270GVJ
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G22LS-270GVJ
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF8G22LS-270GVJ
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF8G22LS-270GVJ

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.11GHz ~ 2.17GHz
Guadagno 17.3dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 2.4A
Uscita elettrica 80W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1244C
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Fabbrica originale nuova.

Imballaggio di BLF8G22LS-270GVJ

Rilevazione

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