Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G22LS-205VJ
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF8G22LS-205VJ
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione
Specifiche di BLF8G22LS-205VJ
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo del transistor | LDMOS |
| Frequenza | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| Guadagno | 18.3dB |
| Tensione - prova | 28V |
| Valutazione corrente | - |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - prova | 1.2A |
| Uscita elettrica | 50.1W |
| Tensione - stimata | 65V |
| Pacchetto/caso | SOT-1239B |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | CDFM6 |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di BLF8G22LS-205VJ
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable