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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G20LS-230VU

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G20LS-230VU

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G20LS-230VU
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G20LS-230VU
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF8G20LS-230VU
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF8G20LS-230VU

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.81GHz ~ 1.88GHz
Guadagno 18dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.8A
Uscita elettrica 55W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1239B
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF8G20LS-230VU

Rilevazione

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