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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LET20030C

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LET20030C

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LET20030C
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LET20030C
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
LET20030C
Produttore:
STMicroelectronics
Descrizione:
FET rf 80V 2GHZ M243
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di LET20030C

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2GHz
Guadagno 13.9dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 9A
Figura di rumore -
Corrente - prova 400mA
Uscita elettrica 45W
Tensione - stimata 80V
Pacchetto/caso M243
Pacchetto del dispositivo del fornitore M243
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di LET20030C

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LET20030CChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LET20030CChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LET20030CChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LET20030C

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