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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF9G20LS-160VJ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF9G20LS-160VJ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF9G20LS-160VJ
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF9G20LS-160VJ
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF9G20LS-160VJ
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF9G20LS-160VJ

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.81GHz ~ 1.88GHz
Guadagno 19.8dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 800mA
Uscita elettrica 35.5W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1120B
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF9G20LS-160VJ

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF9G20LS-160VJChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF9G20LS-160VJChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF9G20LS-160VJChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF9G20LS-160VJ

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