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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs di BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor Transistors

Chip dei MOSFETs rf dei FETs di BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor Transistors

Chip dei MOSFETs rf dei FETs di BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor Transistors
Chip dei MOSFETs rf dei FETs di BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor Transistors
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLC8G27LS-100AVY
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLC8G27LS-100 AVY Specifications

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 2.5GHz ~ 2.69GHz
Guadagno 15.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 250mA
Uscita elettrica 17.8W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT1275-1
Pacchetto del dispositivo del fornitore 6-DFM
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLC8G27LS-100 AVY Packaging

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs di BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor TransistorsChip dei MOSFETs rf dei FETs di BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor TransistorsChip dei MOSFETs rf dei FETs di BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor TransistorsChip dei MOSFETs rf dei FETs di BLC8G27LS-100 AVY Field Effect Transistor Transistors

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