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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CE3512K2

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CE3512K2

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CE3512K2
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CE3512K2
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
CE3512K2
Produttore:
Zilog
Descrizione:
FET 4V 12GHZ 4MICROX di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche CE3512K2

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor FET del pHEMT
Frequenza 12GHz
Guadagno 13.7dB
Tensione - prova 2V
Valutazione corrente 15mA
Figura di rumore 0.5dB
Corrente - prova 10mA
Uscita elettrica 125mW
Tensione - stimata 4V
Pacchetto/caso 4-Micro-X
Pacchetto del dispositivo del fornitore 4-Micro-X
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare CE3512K2

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CE3512K2Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CE3512K2Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CE3512K2Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CE3512K2

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