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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV50200F

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV50200F

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV50200F
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV50200F
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
CGHV50200F
Produttore:
Cree/Wolfspeed
Descrizione:
200-W 4400-5000-MHZ 50-OHM I
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di CGHV50200F

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 5GHz
Guadagno 11.8dB
Tensione - prova 40V
Valutazione corrente 17A
Figura di rumore -
Corrente - prova 1A
Uscita elettrica 200W
Tensione - stimata 125V
Pacchetto/caso 440217
Pacchetto del dispositivo del fornitore 440217
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di CGHV50200F

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV50200FChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV50200FChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV50200FChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV50200F

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