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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV14800F

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV14800F

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV14800F
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV14800F
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
CGHV14800F
Produttore:
Cree/Wolfspeed
Descrizione:
HEMT di 800-W 1200-1400-MHZ GAN
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di CGHV14800F

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 1.4GHz
Guadagno 14.5dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente 24A
Figura di rumore -
Corrente - prova 800mA
Uscita elettrica 900W
Tensione - stimata 125V
Pacchetto/caso 440117
Pacchetto del dispositivo del fornitore 440117
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di CGHV14800F

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV14800FChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV14800FChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV14800FChip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV14800F

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