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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CLF1G0035S-100,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CLF1G0035S-100,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CLF1G0035S-100,112
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CLF1G0035S-100,112
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
CLF1G0035S-100,112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
HEMT 150V 12DB SOT467B del FET di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche CLF1G0035S-100,112

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 3GHz
Guadagno 12dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 330mA
Uscita elettrica 100W
Tensione - stimata 150V
Pacchetto/caso SOT467B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT467B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare CLF1G0035S-100,112

Rilevazione

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