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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888EU

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888EU

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888EU

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888EU

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888EU

descrizione
Numero del pezzo: BLF888EU Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 104V 17DB SOT539A di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLF888EU

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 600MHz ~ 700MHz
Guadagno 17dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 600mA
Uscita elettrica 750W
Tensione - stimata 104V
Pacchetto/caso SOT539A
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF888EU

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888EU 0Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888EU 1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888EU 2Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888EU 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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