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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > BLF888BS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF888BS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF888BS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF888BS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF888BS, 112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
Frequenza ultraelevata LDMOS 650W SOT539A del TRASPORTO RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Serie:
*
Introduzione

BLF888BS, 112 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor -
Frequenza -
Guadagno -
Tensione - prova -
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova -
Uscita elettrica -
Tensione - stimata -
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF888BS, 112 che imballano

Rilevazione

BLF888BS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF888BS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF888BS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF888BS, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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