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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF0910H6LS500U

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF0910H6LS500U

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF0910H6LS500U
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF0910H6LS500U

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF0910H6LS500U

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF0910H6LS500U

descrizione
Numero del pezzo: BLF0910H6LS500U Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751 di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLF0910H6LS500U

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 2.5GHz ~ 2.69GHz
Guadagno 14.8dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 400mA
Uscita elettrica 150W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT1275-1
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF0910H6LS500U

Rilevazione

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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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