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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > BLF2425M7L250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF2425M7L250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF2425M7L250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF2425M7L250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF2425M7L250P, 112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 15DB SOT539A di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLF2425M7L250P, 112 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 2.45GHz
Guadagno 15dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 20mA
Uscita elettrica 250W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT539A
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT539A
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF2425M7L250P, 112 che imballano

Rilevazione

BLF2425M7L250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF2425M7L250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF2425M7L250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF2425M7L250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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